MOS晶体管的形成方法
的有关信息介绍如下：
《MOS晶体管的形成方法》是中芯国际集成电路制造（上海）有限公司于2013年5月21日申请的专利，该专利的公布号为CN104183490A，申请号为2013101903129，授权公布日为2014年12月3日，发明人是韦庆松、于书坤。
一种MOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和第二区域；在所述第一区域和所述第二区域形成PMOS晶体管，所述PMOS晶体管的源区和漏区构成锗硅生长区，所述第一区域的锗硅生长区密度小于第二区域的锗硅生长区密度；在所述第一区域形成伪锗硅生长区，使所述第一区域的锗硅生长区总密度增加；刻蚀所述第一区域和所述第二区域的锗硅生长区、以及第一区域的伪锗硅生长区，形成凹槽；在所述凹槽内沉积锗硅材料，形成PMOS晶体管的嵌入式源区和漏区、以及伪锗硅区。该发明所形成的MOS晶体管良率高，性能好。
2018年12月20日，《MOS晶体管的形成方法》获得第二十届中国专利优秀奖。
（概述图为《MOS晶体管的形成方法》摘要附图 ）
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